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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对

  • A.Cl-的通透性
  • B.K+的通透性
  • C.Na+的通透性
  • D.Mg2+的通透性

正确答案及解析

正确答案
A
解析

抑制性突触后电位(IPSP)的核心机制是突触后膜离子通道通透性改变引起的超极化。

抑制性递质作用于突触后膜,主要增强Cl⁻通道开放,Cl⁻内流使膜电位远离阈电位,抑制神经元兴奋性。

虽然K⁺外流也可导致超极化,但IPSP形成以Cl⁻为主导,而Na⁺(去极化相关)和Mg²⁺(非突触后电位关键离子)与此过程无关。

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