某公司承接了一个数据处理模块项目,由沈工负责模块方案设计,沈工设计方案如图4-1所示。该数据处理模块以PowerPC处理器为核心,设计了存储器、以太网、温度传感器、调试接口等功能电路。处理器外接FLASH存储器用于存储上电初始化程序和应用程序。
处理器通过I2C接口连接测温电路,监控模块工作温度。以太网、串口、调试离散量等用于软件调试和状态显示。测温电路选用ADT7461AR芯片,用于测试模块温度。ADT7461AR是一个双通道数字温度计,工作电压3v至5v,具有低/超温报警功能,采用I2C接口实现主机对远程/本地温度数据采集f采集数据存储在高/低两个数据寄存器中,每个寄存器为16位,高寄存器表示整数值,低寄存器表示小数值。

存储模块采用某公司FLASH存储芯片。
支持编程、擦除、复位等操作命令。该FLASH芯片常用命令序列如表4-1所示。表中地址和数据皆为16进制数。

问题:4.1 ADT7461AR芯片支持两种测温模式,其中第0种模式为二进制模式,用0表示0度,测温范围为0℃?+127℃;第二种模式为偏移二进制模式,用64表示0度,测温范围为-55℃?+150℃,温度数据转换关系如表4-2所示。请在(1)?(4)处写出对应温度二进制数。

问题:4.2 沈工用C语言实现对FLASH操作,需按照表4-1中定义命令序列顺序执行即可。仔细阅读下列代码,请在(1)?(4)处将对应C语言代码补全。

问题:4.3 该嵌入式系统对处理性能要求较高,沈工在完成软件设计后,需要对每一个函数执行性能进行测试,检测其是否满足系统设计要求。沈工通过PowerPC处理器内部高精度时钟寄存器(TimeBase)进行计时,该寄存器由高低两个32位寄存器组成,根据总线频率自动递增,当低32位寄存器递增到0xFFFFFFFF时,向高32位寄存器进位。计数值可以换算成时间值,精确到微秒级。在功能函数functkm1()执行体前后,进行时间统计,最后计算出该函数执行时间值,请在(1)?(2)处将对应C语言代码补全。


正确答案及解析
正确答案
解析
问题4.1、(1)0011 0110 0000 0000 (2)0000 0000 0100 0000(3)0100 0001 0000 0000 (4)0011 0010 0000 0000
问题4.2、(1)0x2AA (2)0x80 (3)offset_addr (4)0x30
问题4.3、(1)tb1.lower-tb0.lower (2)0xFFFFFFFF-tb0.lower+tb1.lower+1
问题4.1、本题考查嵌入式系统中计算机模拟量表示、FLASH设备驱动、有精度计数器等方面相关知识及应用。计算机模拟量是指变量在一定范围连续变化量,也就是在一定范围(定义域)内可以取任意值(在值域内)。模拟量输入是指输入为连续变化物理量。
与之相对是数字量,数字量是分立量,而不是连续变化量,只能取几个分立值,如二进制数字变量只能取两个值。本题中采用是ADT7461AR芯片,在工作时电压信号就属于模拟信号,因为在任何情况下被测温度都不可能发生突跳,所以测得电压信号无论在时间上还是在数量上都是连续。而且,这个电压信号在连续变化过程中任何一个取值都是具体物理意义,即表示一个相应温度。芯片采集模拟量输入信号,然后用二进制表示出来,由设备驱动程序通过读取芯片寄存器,获取温度值。
温度值精度取决于芯片寄存器位数,精度越高,位数越多,把这个模拟量表示越细,结果也就越精准。由题干得知,该芯片采集数据存储在高/低两个数据寄存器中,高寄存器表示整数值,低寄存器表示小数值。
当芯片工作在第一种模式(即二进制模式时),由于测温范围为0℃至+127℃,则高8位寄存器从0到127,表示0℃~+127℃,而低8位寄存器表示小数值,每一位分别表示2-1℃、2-2℃、2-3℃、2-4℃、2-5℃、2-6℃、2-7℃、2-8℃,表示精度为2-8℃。所以+0.25℃高位为0,低位为0100 0000;+50℃高位为0011 0010,低位为0。当芯片工作在第二种模式,即偏移二进制模式时,用64表示0度。
由于测温范围为-55℃~+150℃,则高8位寄存器从9(64-55)到214(64+150),表示-55℃~+150℃,而低8位寄存器表示小数值,表示含义和精度同第一种模式。所以-10℃高位为0011 0110,低位为0;+1℃高位为0100 0001,低位为0。
问题4.2、本题中采用FLASH芯片为NORFLASH,NORFLASH是很常见一种存储芯片,数据掉电不会丢失。NORFLASH支持ExecuteOnChip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NORFLASH上程序不需要复制到RAM:就可以直接运行)。
因此,在嵌入式系统中,NORFLASH很适合作为启动程序存储介质。NORFLASH读取和RAM很类似(只要能够提供数据地址,数据总线就能够正确给出数据),但不可以直接进行写操作。对NORFLASH写操作需要遵循特定命令序列,最终由芯片内部控制单元完成写操作。
FLASH一般都分为很多个SECTOR,每个SECTOR包括一定数量存储单元,对有些大容量FLASH,还分为不同BANK,每个BANK包括一定数目SECTOR。FLASH擦除操作一般都是以SECTOR、BANK或是整片FLASH为单位。
在对FLASH进行写操作时候,每个位可以通过编程由1变为0,但不可以由0修改为1。为了保证写操作正确性,在执行写操作前,都要执行擦除操作,擦除操作会把FLASH一个SECTOR、一个BANK或是整片FLASH值全修改为0xFF,这样写操作就可以正确完成了。Flash芯片一般都支持编程、擦除、复位等操作命令,命令序列可参考芯片厂家提供用户手册。
本项目中根据芯片手册提供常用命令序列表,可知SECTOR擦除操作共需要6个周期总线写操作完成,命令序列如下:将0xAA写到FLASH芯片地址0x555;将0x55写到FLASH芯片地址0x2AA;将0x80写到FLASH芯片地址0x555;将0xAA写到FLASH芯片地址0x555;将0x55写到FLASH芯片地址0x2AA;将0x30写到要擦除SECTOR对应地址。
问题4.3、Power Architecture处理器提供了一个名为Time Base(TB)计数寄存器,它用来记录系统时间。
TB寄存器会以一种依赖于实现总线频率周期性地增加,这个频率可能不是恒定。操作系统(OS)要负责确定更新频率是否发生了变化,以及对内部结构进行必要调整,从而将计数值换算为绝对时间值。一般TB寄存器计时精度可以达到微妙级。
本项目中用一个包含高低两个32位整型数结构体来存储TB寄存器值。当低32位寄存器发生溢出时,处理器会自动向高32寄存器加1。通过插桩方式测量函数执行时间时,需要在功能函数fonction1()执行体前后,分别两次获取TB寄存器值,最后计算两次差值,即为该函数执行时间值。
本题中tb0为函数进入时TB值,tb1为函数退出前TB值,tb2为tb1和tb0差值,即函数执行时间。当tb1低32位大于等于tb0低32位时,tb2高位等于tb1高位与tb0高位差值,tb2低位等于tb1低位与tb0低位差值。
当tb1低32位小于tb0低32位时,则需借用高位进行计算。tb2高位等于tb1高位与tb0高位差值再减1,tb2低位等干0xFFFFFFFF-tb0低位+tb1低位再加1。
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